2-ядерный процессор, Socket FM2
частота 3000 МГц
объем кэша L2: 1024 Кб
ядро Richland
техпроцесс 32 нм
интегрированное графическое ядро
встроенный контроллер памяти

2-ядерный процессор, Socket FM2
частота 3400 МГц
объем кэша L2: 1024 Кб
ядро Trinity (2012)
техпроцесс 32 нм
интегрированное графическое ядро
встроенный контроллер памяти

4-ядерный процессор, Socket FM2
частота 3600 МГц
объем кэша L2: 4096 Кб
ядро Trinity (2012)
техпроцесс 32 нм
интегрированное графическое ядро
встроенный контроллер памяти

4-ядерный процессор, Socket FM2+
частота 3100 МГц
объем кэша L2: 4096 Кб
ядро Kaveri (2014)
техпроцесс 28 нм
встроенный контроллер памяти

4-ядерный процессор, Socket FM2
частота 3900 МГц
объем кэша L2: 4096 Кб
ядро Richland
техпроцесс 32 нм
интегрированное графическое ядро
встроенный контроллер памяти

4-ядерный процессор, Socket AM1
частота 1600 МГц
объем кэша L2: 2048 Кб
ядро Kabini (2013)
техпроцесс 28 нм
интегрированное графическое ядро
встроенный контроллер памяти

4-ядерный процессор, Socket AM1
частота 2050 МГц
объем кэша L2: 2048 Кб
ядро Kabini (2013)
техпроцесс 28 нм
интегрированное графическое ядро
встроенный контроллер памяти

6-ядерный процессор, Socket AM3+
частота 3500 МГц
объем кэша L2/L3: 6144 Кб/8192 Кб
ядро Vishera (2012)
техпроцесс 32 нм
встроенный контроллер памяти

8-ядерный процессор, Socket AM3+
частота 3300 МГц
объем кэша L2/L3: 8192 Кб/8192 Кб
ядро Vishera (2012)
техпроцесс 32 нм
встроенный контроллер памяти

4-ядерный процессор, Socket LGA1150
частота 3000 МГц
объем кэша L2/L3: 1024 Кб/6144 Кб
ядро Haswell (2013)
техпроцесс 22 нм
интегрированное графическое ядро
встроенный контроллер памяти

2-ядерный процессор, Socket LGA1150
частота 3000 МГц
объем кэша L2/L3: 512 Кб/3072 Кб
ядро Haswell (2013)
техпроцесс 22 нм
интегрированное графическое ядро
встроенный контроллер памяти

DDR3
Форм-фактор: DIMM
Объем одного модуля: 4 Гб
Количество контактов: 240
Количество модулей в комплекте: да
Тактовая частота: 1600
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет

Объем модуля памяти 4 Гб
Частота функционирования до 1600 МГц
Пропускная способность памяти 12800 Мб/сек

1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 Гб
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11

сокет AM3+
чипсет AMD 760G
2 слота DDR3 DIMM, 1066-1866 МГц
встроенный видеоадаптер
разъемы SATA: 3 Гбит/с - 4

сокет S478
чипсет Intel 945GC
2 слота DDR2 DIMM, 400-667 МГц
видеоадаптер Intel GMA 950
разъемы SATA: 3 Гбит/с - 4

сокет AM1
чипсет AMD AM1
2 слота DDR3 DIMM, 1066-1600 МГц
разъемы SATA: 6 Гбит/с - 2

материнская плата форм-фактора microATX
сокет LGA1150
чипсет Intel H81
2 слота DDR3 DIMM, 1066-1600 МГц
разъемы SATA: 3 Гбит/с - 2; 6 Гбит/с - 2

сокет LGA1150
чипсет Intel H81
2 слота DDR3 DIMM, 1066-1600 МГц
разъемы SATA: 3 Гбит/с - 2; 6 Гбит/с - 2

сокет AM1
чипсет AMD AM1
2 слота DDR3 DIMM, 1333-1600 МГц
разъемы SATA: 6 Гбит/с - 2